Renesas Electronics präsentiert verlustarme, extrem miniaturisierte Power-MOSFETs, die bessere Leistungseffizienz und kompakteren Aufbau bei tragbaren Geräten ermöglichen

Gehäuseformat von nur 2 mm x 2 mm und ein branchenführend niedriger On-Widerstand ermöglichen Gewichtseinsparungen und Miniaturisierung Dank einer um bis zu 40 % verringerten Bestückungsfläche
Renesas Electronics präsentiert verlustarme, extrem miniaturisierte Power-MOSFETs, die bessere Leistungseffizienz und kompakteren Aufbau bei tragbaren Geräten ermöglichen (PresseBox) (Düsseldorf, ) Renesas Electronics präsentiert acht neue, verlustarme P- und N- Kanal Power-MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor), die für den Einsatz in tragbaren Elektronikgeräten wie Smartphones und Tablet-Computern optimiert sind. Zu den neuen Bausteinen zählen der 20 V (VDSS) µPA2600 und der 30 V µPA2601, die in 2 mm x 2 mm kleinen, extrem kompakten Gehäusen erhältlich sind und verbesserte Leistungseffizienz sowie Miniaturisierung in noch kleineren Mobilgeräten ermöglichen.

Smartphones mit großem Funktionsumfang erfreuen sich steigender Beliebtheit. Parallel hierzu nehmen die Erwartungen der Benutzer in Bezug auf eine nahtlos integrierte Bedienung bei diesen Geräten zu. Zugleich steigt die Nachfrage nach Geräten mit kleineren und dünneren Gehäusedesigns sowie mit niedrigerem Stromverbrauch, die längere Batterielaufzeiten zwischen den einzelnen Ladevorgängen ermöglichen. Um diese Anforderungen zu erfüllen nutzen Entwickler Hochstrom-geeignete Power-MOSFETs mit einem niedrigeren On-Widerstand zum Einsatz in der Lade-/Entladesteuerung, zum Ein- und Ausschalten von HF-Leistungsverstärkern und in Überstrom-Schutzschaltern.

Die neuen MOSFETs µPA2600 und µPA2601 erfüllen die Anforderungen für eine weitere Miniaturisierung. Dabei bieten sie einen branchenführend niedrigen On-Widerstand bei einer gleichzeitigen Verringerung der Montagefläche. Dank dieser Features eignen sie sich für eine breite Palette von Anwendungen, wie zum Beispiel als Lastschalter (die den Versorgungsstrom für ICs ein- oder ausschalten) oder als Lade-/Entladesteuerung für tragbare Geräte sowie für die Ein-/Aussteuerung und Überstrom-Begrenzung in HF-Leistungsverstärkern (Verstärkern für Hochfrequenz-Signale).

Für die Spezifikationen der Versorgungsschaltungen in tragbaren Geräten, wie etwa in Smartphones, wird eine breite Palette von Power-MOSFETs mit unterschiedlichen Spannungen und Polaritäten benötigt. Renesas begegnet diesen Anforderungen mit einer Verringerung des On-Widerstands und der Entwicklung noch kleinerer Gehäuse. Das Unternehmen bietet bereits heute eine breite Palette entsprechender Produkte.

Die wichtigsten Features der neuen P-Kanal Power-MOSFETs:

1) Niedrigster On-Widerstand der Branche (N-Kanal, µPA2600 und µPA2601)

Die MOSFETs µPA2600 und µPA2601 sind in einem nur 2 mm x 2 mm kleinen, extrem kompakten Gehäuse erhältlich. Der 20 V (VDSS) µPA2600 erzielt einen On-Widerstand von 9,3 mΩ (typischer Wert bei 4,5 V), während der 30 V µPA2601 10,5 mΩ (typisch bei 10 V) erreicht, womit beide Bausteine Strom-Einsparungen in Endprodukten ermöglichen.

2) Kompaktes Gehäuse für geringeren Platzbedarf auf der Leiterplatte

Durch die Integration von großflächigen Hochleistungs-Chips in ein nur 2 mm x 2 mm großes, extrem kompaktes Gehäuse mit Wärmeableitungs-Kontaktfläche konnte Renesas die Bausteine so auslegen, dass das Gehäuse die Verlustleistung effizient an die Leiterplatte abgibt. Mit dem µPA2600 und ähnlichen Produkten lässt sich die Montagefläche gegenüber den bestehenden 3 mm x 2 mm großen Gehäusen um etwa 30 Prozent verringern. Der µPA2672 und ähnliche Produkte erlauben Flächen-Einsparungen von ca. 40 Prozent verglichen mit den früheren 3 mm x 3 mm großen Gehäusen. Dadurch lassen sich auch die Abmessungen und das Gewicht der Endprodukte verringern.

3) Umfassendes Bauteilangebot

Die insgesamt acht neuen P- und N- Kanal Power MOSFETs sind für einen bei tragbaren Geräten üblichen Spannungsbereich von 12 V bis 30 V ausgelegt: Vier P-Kanal Produkte wie der µPA2630, drei N-Kanal Produkte wie der µPA2600 und der µPA2690, bei dem in einem einzigen Gehäuse neben einem N-Kanal Baustein auch ein P-Kanal Baustein untergebracht ist. Damit eignet sich diese Produktpalette zum Einsatz in den unterschiedlichsten Anwendungen, wie zum Beispiel in der Lade- und Entladesteuerung, der Ein-/Aussteuerung von HF-Leistungsstufen und bei Überstrom-Abschaltern.

Die neuen Power-MOSFETs sind umweltfreundlich, erfüllen die RoHS-Richtlinie (Anmerkung 1) und enthalten kein Halogen.

Der Funktionsumfang bei tragbaren Geräten nimmt immer weiter zu. Während der Formfaktor für Geräte wie zum Beispiel Smartphones zu immer dünneren Profilen tendiert, wird der für Bauteile verfügbare Platz auf der Leiterplatte immer knapper. Als Reaktion auf diese Anforderung nach zunehmender Miniaturisierung und höherer Leistung entwickelt Renesas auch weiterhin Produkte, die das Leistungsniveau ihrer Vorgängermodelle bei immer geringerem Platzbedarf auf der Leiterplatte gewährleisten. Zudem wird das Unternehmen sein Produktangebot kontinuierlich erweitern, um eine weitere Miniaturisierung und höhere Funktionsleistung für tragbare Geräte zu ermöglichen.

Anmerkung 1

Europäische RoHS-Richtlinie:

Richtlinie 2002/95/EC des Europäischen Parlaments und des Europäischen Rates vom 27. Januar 2003 über die Beschränkung der Nutzung bestimmter gefährlicher Substanzen in elektrischen und elektronischen Geräten.

Die wichtigsten Spezifikationen der neuen Power MOSFETs sind auf einem separaten Datenblatt abrufbar.

Verfügbarkeit

Muster der neuen µPA2600 und µPA2601 Power MOSFETs von Renesas Electronics werden im April 2012 erhältlich sein. Der Beginn der Serienfertigung ist für Mai 2012 geplant und wird bis zum ersten Halbjahr des Geschäftsjahres 2013 voraussichtlich ein monatliches Gesamtvolumen von 3 Millionen Einheiten für alle acht Produkte erreichen. (Änderungen bezüglich Verfügbarkeit ohne gesonderte Benachrichtigung vorbehalten.)

Hinweis

Alle hier erwähnten eingetragenen Warenzeichen oder Warenzeichen sind Eigentum ihrer entsprechenden Inhaber.

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