Asymmetrische Dual-MOSFET-Leistungsstufen von Fairchild Semiconductor ermöglichen höchste Leistungsdichte und einfachstes Design

Module zeichnen sich durch den höchsten Ausgangsstrom aller am Markt erhältlichen 5 mm x 6 mm Dual-MOSFET-Lösungen aus
FDMS36XXS-Familie (PresseBox) (Fürstenfeldbruck, ) Die Entwickler von Stromversorgungen stehen zwei entscheidenden Herausforderungen gegenüber: der Reduzierung des benötigten Platzbedarfes und der Erhöhung der Leistungsdichte. Dies ist besonders bei Notebook, Point-of-Load-, Server-, Spiele- und Telekommunikationsanwendungen entscheidend. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS), ein weltweit führender Anbieter von leistungsfähigen Lösungen für Leistungselektronik und mobile Produkte, hat speziell für diese Herausforderungen die neuen asymmetrischen Dual-MOSFET-Leistungsstufen-Module der Familie FDMS36xxS entwickelt.

Die FDMS36xxS Familie kombiniert einen Steuer- und einen synchronen MOSFET, sowie eine monolithische Schottky Body-Diode in einem PQFN-Gehäuse. Die Bauteile sind intern verbunden, um eine einfache Platzierung und Routing bei synchronen Abwärtswandlern zu ermöglichen. Der Steuer-MOSFET (Q1) und der synchrone MOSFET (SyncFETTM) (Q2) wurden im Hinblick auf höchste Leistungseffizienz für Ausgangsströme von bis zu 30 A optimiert. Durch die Integration diese Bauteile in einem einzigen Modul wird mit den Bauteilen der FDMS36xxS Familie deutlich weniger Leiterplattenfläche benötigt, da zwei oder mehr 5 mm x 6 mm große PQFN-, S08- und DPAK-Gehäuse entfallen können.

Die Produkte der FDMS36XXS-Familie basieren auf der fortschrittlichen Charge-Balanced Bauteil-Architektur (Shielded Gate Technology) und einer modernen Gehäusetechnologie von Fairchild, die einen extrem niedrigen Low-Side RDS(ON) von weniger als 2 mOhm gewährleistet. Die Produktfamilie wurde im Hinblick auf minimale Leitungs- und Schaltverluste im Bereich von 300kHz bis 600KHz optimiert und gewährleistet eine zuverlässige, höchste Leistungseffizienz für Point-of-Load- und mehrphasige synchrone DC-DC-Abwärtswandler.

Die einzigartige Bauteil-Architektur mit Shielded Gate Technologie und das Gehäuse-Design mit extrem niedriger Quelleninduktivität der asymmetrischen Dual-MOSFET-Leistungsstufen der FDMS36xxS Familie gewährleistet geringe Schaltstörungen, ist unempfindlich gegenüber Design-Schwankungen und erhöht die Design-Zuverlässigkeit. Durch die geringen Schaltstörungen kann auf spezielle Dämpfungsmaßnahmen mittels externer Snubber- oder Gate-Widerstände verzichtet werden, wodurch sich die Materialkosten des Designs reduzieren und zudem Leiterplattenfläche einsparen lassen.

Die Bauteile der FDMS36xxS-Familie umfassen gegenwärtig die asymmetrischen N-Kanal Dual-MOSFET PowerTrench®-Leistungsstufen FDMS3602S und FDMS3604AS. Weitere Bauteile kommen im Zuge der Entwicklung und auf Anforderung von Kunden hinzu. Die FDMS36xxS-Familie ist RoHS-konform.

Diese asymmetrischen Dual-MOSFET- Leistungsstufen-Module sind Teil eines umfassenden Portfolios fortschrittlicher MOSFET-Technologie, die den Entwicklern von Leistungselektronik verschiedene Lösungen für unternehmenskritische Anwendungen zur Informationsverarbeitung mit hohem Wirkungsgrad zur Verfügung stellt. Weitere Informationen über unsere neusten Produkte für Leistungsstufen finden Sie unter: www.fairchildsemi.com/....

Fairchild Semiconductor: The Right Technology for Your SuccessTM

Preis: in US-Dollar ab 1.000 Stück

FDMS3602S $1,86
FDMS3604AS $1,62

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Fairchild Semiconductor
Einsteinring 28
D-85609 Aschheim /München
Birgit Fuchs-Laine
Lucy Turpin Communications

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