NXP treibt Miniaturisierung mit ultrakompakter Power-Management-Lösung weiter voran

Neue 2-in-1-Kombilösung aus Low-VCEsat-Transistor und Trench-MOSFET in 2x2-mm-Leadless-Gehäuse
NXP treibt Miniaturisierung mit ultrakompakter Power-Management-Lösung weiter voran (PresseBox) (Eindhoven, Niederlande und Hamburg, ) NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) hat heute einen ultrakompakten Medium-Power PNP Transistor und einen N-Kanal-Trench-MOSFET in einem Leadless-DFN2020-6-Gehäuse (SOT1118) vorgestellt. Der PBSM5240PF unterstützt mit seiner Größe von nur 2 x 2 mm und 0,65 mm Höhe den Trend der Branche zur Entwicklung immer kleinerer und leistungsfähigerer Consumer-Elektronikprodukte wie z. B. Mobilgeräte. Der PBSM5240PF bietet höchste elektrische Leistungswerte und spart gleichzeitig wertvollen Platz auf der Leiterplatte, da er als eine der ersten Lösungen einen Low-VCEsat-Transistor und Trench-MOSFET in einem Leadless-DFN2020 Gehäuse integriert.

Verglichen mit konventionellen Lösungen, die zur Umsetzung einer so leistungsfähigen Lösung zwei separate Gehäuse erfordern, bietet das Bauteil eine mehr als 50%ige Reduzierung der erforderlichen Footprint-Fläche und eine um 10 % reduzierte Gehäusehöhe. Das Package verfügt über einen eigenen Kühlkörper und lässt damit aufgrund der bis zu 25 % höheren thermischen Leistungsfähigkeit wesentlich höhere Stromwerte bis 2 A zu, bei einer gleichzeitig geringeren Leistungsaufnahme.

Der PBSM5240PF eignet sich für Ladeschaltungen in Geräten wie Mobiltelefonen oder MP3-Player. Darüber hinaus kann er in Lastschaltern oder akkubetriebenen Geräten verwendet werden, die bei ultrakompakten Abmessungen und geringstmöglicher Wärmeentwicklung eine sichere Verarbeitung höherer Ströme erfordern.

"Was die neue BISS (Breakthrough-in-Small-Signal-Transistor) /MOSFET-Lösung für portable Geräte wie Smart Phones und Tablet PCs so einzigartig und attraktiv macht, sind insbesondere ihre kleinen Gehäuseabmessungen in Kombination mit der beeindruckenden elektrischen Leistung und geringen Wärmeentwicklung in einem Leadless-Gehäuse. Mit einer maximalen Spannung von 40 Volt eignet sich dieser IC ideal für modernste Mobilgeräte mit ihren kompakten Abmessungen, bei denen Gerätehöhe und Leiterplattenplatz wichtige Designvorgaben darstellen und jeder Millimeter zählt," erklärt Joachim Stange, Product Manager bei NXP Semiconductors.

Fakten und Highlights

Die wichtigsten Funktionen des PBSM5240PF im Überblick:

- Hohe Kollektorstromfähigkeit IC und ICM
- Hohe Kollektorstomverstärkung (hFE) bei hohem IC
- Hohe Energieeffizienz durch geringere Wärmeentwicklung
- Sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCEsat
- DFN2020-6-Gehäuse mit einer Footprint-Fläche von nur 2 x 2 mm erfordert weniger Leiterplattenplatz

Verfügbarkeit

Der NXP-Breakthrough-in-Small-Signal-Transistor (BISS) und N-Kanal-Trench-MOSFET PBSM5240PF [http://www.nxp.com/... ] steht ab sofort über alle wichtigen Distributoren weltweit zur Verfügung.

Links

- Produktblatt zur NXP-BISS/MOSFET-Lösung PBSM5240PF [http://www.nxp.com/... ]
- PBSM5240PF-Datenblatt [http://www.nxp.com/... ]
- Vollständige Informationen über NXP-Low V_CEsat (BISS)-Transistoren [http://standardproducts.nxp.com/... ]
- Informationen über NXP-MOSFETs [http://www.nxp.com/...| ]

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