Dual CoolTM Gehäuse von Fairchild Semiconductor ermöglichen höhere Leistungsdichte und Leistung bei DC-DC-Anwendungen

Optimierte MV-MOSFETs bieten einen um den Faktor vier geringeren Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung
(PresseBox) (Fürstenfeldbruck, ) Die Entwickler von DC-DC-Wandlern müssen die Leistungsdichte kontinuierlich verbessern und gleichzeitig die benötigte Leiterplattenfläche und den Wärmewiderstand reduzieren. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) hat genau für diese Design-Herausforderungen neue Mittelspannungs PowerTrench® MOSFETs mit Dual Cool(TM) Gehäuse-Technologie entwickelt.

Fairchild hat sein Dual Cool Gehäuseportfolio, das sich durch ein Standard-Pinout und eine Wärmeabführung über die Gehäuseoberseite auszeichnet, um eine 40 bis 150 V Mittelspannungsserie erweitert. Fortschritte bei der Halbleitertechnologie ermöglichen in Verbindung mit der Dual Cool Technologie ein ausgezeichnetes Schaltverhalten sowie gegenüber der standardmäßigen 5 mm x 6 mm MLP-Bauform einen um den Faktor vier geringeren Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung.

Die Mittelspannungsserie umfasst die folgenden Bauteile: 40 V FDMS8320LDC, 60 V FDMS86500DC, 80 V FDMS86300DC und 100 V FDMS86101DC. Diese MOSFETs für Synchrongleichrichtung eignen sich für den Einsatz in DC-DC-Wandlern sowie als sekundärseitige Gleichrichter für Telekommunikations- und Highend-Server/Workstation-Anwendungen. Weitere Informationen zu Bauteilen im Dual Cool Gehäuse finden Sie unter: www.fairchildsemi.com/....

Eigenschaften und Vorteile:

FDMS8320LDC (40 V)

- Max. RDS(ON) = 1,1 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 44 A
- Max. RDS(ON) = 1,5 mΩ bei VGS = 4,5 V, ID = 37 A

FDMS86500DC (60 V)

- Max. RDS(ON) = 2,3 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 29 A
- Max. RDS(ON) = 3,3 mΩ bei VGS = 8 V, ID = 24 A

FDMS86300DC (80V)

- Max. RDS(ON) = 3,1 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 24 A
- Max. RDS(ON) = 4,0 mΩ bei VGS = 8 V, ID = 21 A
- Derzeit niedrigster RDS(ON), nur rund 35 % gegenüber anderen Lösungen mit gleicher Nennspannung

FDMS86101DC (100 V)

- Max. RDS(ON) = 7,5 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 14,5 A
- Max. RDS(ON) = 12 mΩ bei VGS = 6 V, ID = 11,5 A

Gehäusetypen und Preise (in USD ab 1.000 Stück)
Muster sind auf Anfrage verfügbar - Lieferzeit ca. 8-12 Wochen

Alle Bauteile dieser Produktfamilie sind in einem PQFN 5x6 8L Gehäuse zu folgenden Preisen erhältlich:

- FDMS8320LDC (40 V): $1,09
- FDMS86500DC (60 V): $1,16
- FDMS86300DC (80 V): $1,16
- FDMS86101DC (100 V): $1,09

Die MOSFETS im Dual Cool Gehäuse sind Teil des führenden MOSFET-Portfolios von Fairchild. Durch umfassendes Wissen und langjährige Erfahrungen im Bereich leistungsfähiger DC-DC-Stromversorgungen kann Fairchild durch eine Kombination von innovativen Funktionen, Prozessen und Gehäusetechnologien einzigartige Lösungen für Elektronik-Designs anbieten.

Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM

Weitere Informationen über dieses Produkt erhalten Sie von Fairchild Semiconductor unter: http://www.fairchildsemi.com/....

Informationen über andere Produkte, Design-Tools und Vertriebspartner sind verfügbar unter: http://www.fairchildsemi.com.

Kontakt

Fairchild Semiconductor
Einsteinring 28
D-85609 Aschheim /München
Birgit Fuchs-Laine
Lucy Turpin Communications
Bastian Reichert
Lucy Turpin Communications
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