NXP bietet klassenbeste MOSFET-Lösung für Power over Ethernet-Applikationen an

Neue NextPower Live MOSFETs ermöglichen doppelt so hohe Inrush-Ströme wie konkurrierende Produkte und eignen sich damit ideal für künftige PoE-Anwendungen mit hoher Leistungsaufnahme
PSMN040 100MSE SOA (PresseBox) (Hambrug, ) NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) stellte heute eine neue Familie seiner NextPower Live MOSFETs speziell für Power over Ethernet-Applikationen (PoE) vor. Aufbauend auf die Expertise, die NXP im Bereich PowerMOSFETS hat, zeichnen sich die neuen Bausteine PSMN040-100MSE und PSMN075-100MSE insbesondere dadurch aus, dass sie doppelt so hohe Inrush-Ströme wie konkurrierende Produkte ermöglichen. Sie sind damit ideal für PoE-Architekturen mit hohen Leistungen von 30 Watt und mehr (z. B. PoE+, UPoE und LTPoE++) geeignet.

PoE wird immer häufiger verwendet, um Geräte über ein Ethernet-Kabel und die entsprechende Schnittstelle mit Strom zu versorgen, anstatt ein zusätzliches Netzteil einzusetzen. Zunächst wurde diese Technik nur für Geräte mit geringer Leistung - zum Beispiel VoIP-Telefone - genutzt. Inzwischen aber ist es mit neuen Lösungen wie etwa UPoE oder LTPoE++ möglich, auch Geräte mit höherer Leistungsaufnahme wie etwa PoS-LCD-Bildschirme oder 3G/4G Access Points mit Leistungen bis zu 100 W zu betreiben. Wenn so viel Leistung im Spiel ist, kann es allerdings vorkommen, dass das Power Sourcing Equipment (PSE), also beispielsweise ein Netzwerk-Router, Switch oder Midspan, ernsthaft beschädigt werden, wenn durch einen Kurzschluss oder einen Fehler im Powered Device (PD) ein zeitlich nicht begrenzter Stromstoß entsteht.

Diese neuen Systeme mit höherer Leistung stellen somit höhere Anforderungen an die MOSFETs, die zur Versorgung und zum Schutz dieses Equipments dienen. Die NextPower Live PoE-MOSFETs von NXP verfügen über einen sicheren Arbeitsbereich (Safe Operating Area - SOA), der doppelt so groß ist wie bei bereits existierenden Lösungen. Dies sorgt für einen wirkungsvolleren Schutz und verbessert die Systemzuverlässigkeit. Weitere Merkmale der neuen PoE-Bausteine von NXP sind ein sehr geringer RDS(on)-Wert und das äußerst zuverlässige LFPAK33-Gehäuse, das hinsichtlich seines Footprints kompatibel zu ähnlichen Bausteinen ist.

"Die Entwicklung der Power over Ethernet-Technik schreitet rapide voran. Ihre weitere Verbreitung setzt voraus, dass alle Komponenten des PoE-Ökosystems mit dieser Entwicklung Schritt halten", betont Chris Boyce, MOSFET Business Manager bei NXP Semiconductors. "Neue, High-Power-Standards verlangen nach leistungsfähigen Schutzlösungen. Die neuen Bausteinen von NXP verdoppeln die Robustheit existierender PoE-MOSFETs und werden unseres Erachtens deshalb eine wichtige Rolle in der weiter zunehmenden Akzeptanz von leistungsstarken PoE-Anwendungen spielen."

Links

PSMN040-100MSE: http://www.nxp.com/...
PSMN075-100MSE: http://www.nxp.com/...
Standard-MOSFETs von NXP: http://www.nxp.com/mosfets/

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